近年來，我院高度重視本科創新人才培養。近日，我院應用物理學專業本科學生在國内物理學科知名學術期刊《物理學報》上發表題為“硒化溫度對MoSe₂薄膜結構和光學帶隙的影響”學術論文，論文第一作者為2021級本科學生吳詩漫，通訊作者為肖劍榮教授（指導教師）。

目前，制備MoSe₂的方法主要有機械剝離法、分子束外延法、水熱法、化學氣相沉積法等。本工作采用磁控濺射結合化學氣相沉積方法制備MoSe₂薄膜。研究發現，随着硒化溫度的升高，MoSe₂薄膜的平均晶粒尺寸先略減小後增大，且(002)晶面取向優先生長，其直接帶隙對應的波長發生藍移，光學帶隙随之減小。表明通過改變硒化溫度可以有效調控MoSe₂結構和光學帶隙，為MoSe₂薄膜在光學器件應用方面提供更多可能。

論文鍊接：https://wulixb.iphy.ac.cn/cn/article/doi/10.7498/aps.73.20240611

(一審：朱鵬飛；二審：肖劍榮；三審：張富文）