學院高度重視本科生的教育教學和高質量培養，建立“導師-研究生-本科生”的協同育人機制，依托大學生創新創業項目對拔尖本科生進行精心培養，提高本科生的創新能力與科研素養，成效顯著。

近日，我院本科生在學術期刊《Materials Science in Semiconductor Processing》上發表題為“Ultrahigh carrier mobility and anisotropy of the layered semiconductor ATiN₂ (A = Ca, Sr and Ba)”學術論文，論文第一作者為2021級應用物理學專業學生梁華琳，通訊作者為明星教授（指導教師）。本科生再次發表高水平SCI論文，進一步表明了學院三全育人成效明顯。

具有合适帶隙和高載流子遷移率的半導體對電子、光電子和光伏應用至關重要。本工作通過理論計算系統研究了ATiN₂（A=Ca、Sr和Ba）層狀氮化物的力學、電子、光學和輸運性質。這些氮化物泊松比大于0.26，Pugh模量比超過1.75，具有良好的延展性。CaTiN₂和SrTiN₂是直接帶隙半導體，而BaTiN₂是間接帶隙半導體。它們顯示出适用于光電和光催化水分解應用的帶隙（1.54–1.78 eV）和帶邊位置。更有趣的是，它們具有超高的載流子遷移率和顯著的各向異性。特别是，平面内電子遷移率達到10⁴ cm²V⁻¹s⁻¹的數量級，而沿平面外方向的遷移率幾乎為零。此外，空穴遷移率沿平面方向也非常大，所有這些氮化物的各向異性比高達約30。此外，這些ATiN₂氮化物具有較高的光吸收系數（約10⁵ cm^-1）和較低的激子結合能。由于合适的帶隙和帶邊位置、超高載流子遷移率和巨大的各向異性、優異的可見光吸收性能，ATiN₂氮化物将成為電子、光電子、光伏和光催化應用中有前景的候選半導體。

該工作得到了國家自然科學基金項目和國家級大學生創新項目的支持。

論文鍊接：https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108955

(一審：朱鵬飛；二審：明星；三審：張富文）